Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W LUGUANG ELECTRONIC
Номер продукта: LGE3M45170B
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W LUGUANG ELECTRONIC
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; Idm: 160A; 520W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
LGE3M45170B
Case
TO247-3
Drain current
48A
Drain-source voltage
1.7kV
Gate charge
54nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
90mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
520W
Pulsed drain current
160A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M45170B
Product ID
U-3846315
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
