Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: G3R20MT17K
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-2246887
NomNr
G3R20MT17K
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
#Promotion
aac_202202
Case
TO247-4
Drain current
88A
Drain-source voltage
1.7kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
400nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
20mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
809W
Pulsed drain current
300A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
G3R20MT17K
Supplier's product code
G3R20MT17K
Product ID
U-2246887
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
