Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A STMicroelectronics
Номер продукта: STP10N60M2
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A STMicroelectronics
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 4.9A; Idm: 30A
Параметры товара поставщика
Product code
STP10N60M2
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STP10N60M2
Product ID
U-3046726
Case
TO220-3
Drain current
4.9A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
13.5nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
85W
Pulsed drain current
30A
Technology
MDmesh™ M2
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
