Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A VISHAY
Номер продукта: SI3460DDV-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-08-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2490 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Параметры товара поставщика
Product code
SI3460DDV-T1-GE3
Case
TSOP6
Drain current
7.9A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
18nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
28mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.7W
Pulsed drain current
20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI3460DDV-T1-GE3
Product ID
U-3050472
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
