Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4 VISHAY
Номер продукта: IRLD110PBF
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-17 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2496 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
IRLD110PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRLD110PBF
Product ID
U-218799
Case
DIP4
Drain current
0.7A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
6.1nC
Gate-source voltage
±10V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
760mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
