Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W NEXPERIA
Номер продукта: PSMN1R2-30YLDX
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
PSMN1R2-30YLDX
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PSMN1R2-30YLDX
Product ID
U-296554
Case
PowerSO8
Drain current
209A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
logic level
Gate charge
68nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
2.05mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
194W
Pulsed drain current
1181A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
