Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W VISHAY
ΠΠΎΠΌΠ΅Ρ ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΠ°: SUD50N04-8M8P-4GE3
ΠΠ°ΡΠΊΠ°
ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅ ΠΏΠΎΡ
ΠΎΠΆΠΈΡ
ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΠΎΠ²
Π‘ΡΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠΈ
2024-08-22 ΠΠ»Π°Π½ΠΈΡΡΠ΅ΠΌΠ°Ρ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠ°, Π΅ΡΠ»ΠΈ ΠΡ Π·Π°ΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΡΠ΅ ΡΠ΅ΠΉΡΠ°Ρ
Π’ΠΎΠ²Π°Ρ Π·Π°ΠΊΠ°Π·ΡΠ²Π°Π΅ΡΡΡ ΡΠΎ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Π° ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°. ΠΡΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊ Π½Π΅ ΡΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²ΠΈΡΡ Π΄Π°Π½Π½ΡΠΉ ΡΠΎΠ²Π°Ρ Π΄ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π΄Π°ΡΡ, ΠΌΡ ΠΈΠ½ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΡΠ΅ΠΌ ΠΠ°Ρ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
 2358 ΡΡ. | Π‘ΠΊΠ»Π°Π΄ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ° |
ΠΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠ° Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ
ΠΠΎΡΡΠ°Π²ΠΊΠ° Π½Π° Π΄ΠΎΠΌ
ΠΠΎΡΠ»Π΅ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π΄Π°ΡΠΈ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΊΡΡΡΠ΅ΡΡ ΠΌΡ ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΠΌ Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
ΠΠΎΠ»Π΅Π΅ 30,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³) | ΠΠ΅ΡΠΏΠ»Π°ΡΠ½ΠΎ |
Π 30,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 3 ΠΊΠ³) | 2,99 β¬ |
Π 30,00 β¬ (ΠΠ°ΠΊΠ°Π·Ρ Π΄ΠΎ 1000 ΠΊΠ³) | 3,59 β¬ |
ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡΡΠΎΠΌΠ°ΡΠ΅
ΠΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΏΠΎΡΡΠΎΠΌΠ°ΡΠ΅
ΠΠΎΡΠ»Π΅ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π΄Π°ΡΠΈ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΊΡΡΡΠ΅ΡΡ ΠΌΡ ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΠΌ Π²Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ ΠΏΠΎ ΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΡΠ΅.
1,99 β¬
ΠΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΎΡ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
ΠΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΡ ΡΠΎΠ²Π°ΡΠ° ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠ°
Product code
SUD50N04-8M8P-4GE3
Case
DPAK
Drain current
14A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
56nC
Gate-source voltage
Β±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
8.8mΞ©
Polarisation
unipolar
Power dissipation
30.8W
Pulsed drain current
100A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SUD50N04-8M8P-4GE3
Product ID
U-3807147
ΠΠ½ΡΠΎΡΠΌΠ°ΡΠΈΡ, ΠΏΡΠ΅Π΄ΠΎΡΡΠ°Π²Π»Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΡΡΠ°Π²ΡΠΈΠΊΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ ΠΎΡΠ»ΠΈΡΠ°ΡΡΡΡ ΠΎΡ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡΠΎΠ΄ΡΠΊΡΠ°. ΠΡΠ»ΠΈ Π²Ρ Π·Π°ΠΌΠ΅ΡΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΡΠΎΡΠ½ΠΎΡΡΠΈ, ΡΠΎΠΎΠ±ΡΠΈΡΠ΅ Π½Π°ΠΌ ΠΎΠ± ΡΡΠΎΠΌ, Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π² Π½Π° Π°Π΄ΡΠ΅Ρ [email protected].
