Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3 INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IPD60R600P7ATMA1
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Параметры товара поставщика
Product code
IPD60R600P7ATMA1
Case
PG-TO252-3
Drain current
4A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
9nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
30W
Pulsed drain current
16A
Technology
CoolMOS™ P7
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Version
ESD
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IPD60R600P7ATMA1
Product ID
U-2726621
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
