Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD STMicroelectronics

Номер продукта: STB18N60DM2
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD STMicroelectronics

Полезная информация


Спецификации

Артикул
U-339312
NomNr
STB18N60DM2

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; D2PAK; ESD

Полезная информация

Параметры товара поставщика

Product code
STB18N60DM2
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
STB18N60DM2
Product ID
U-339312
Case
D2PAK
Drain current
7.6A
Drain-source voltage
600V
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
0.295Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
90W
Technology
SuperMesh™
Type of transistor
N-MOSFET
Version
ESD
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].