Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23 VISHAY
Номер продукта: 2N7002E-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-08 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2990 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
2N7002E-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
2N7002E-T1-GE3
Product ID
U-1866815
#Promotion
aac_202202
Case
SOT23
Drain current
0.24A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
0.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
3Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.22W
Pulsed drain current
1.3A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
