Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.9A; Idm: 12A; 1.6W NEXPERIA
Номер продукта: PMPB85ENEAX
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.9A; Idm: 12A; 1.6W NEXPERIA
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 1.9A; Idm: 12A; 1.6W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
PMPB85ENEAX
Brand
NEXPERIA
Supplier's product code
PMPB85ENEAX
Product ID
U-292010
Case
DFN2020MD-6
Drain current
1.9A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
9.2nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
0.175Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.6W
Pulsed drain current
12A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
Данный товар отсутствует.