Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 116A; Idm: 220A; 484W; H2PAK7 STMicroelectronics
Номер продукта: SCTH90N65G2V-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 116A; Idm: 220A; 484W; H2PAK7 STMicroelectronics
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 116A; Idm: 220A; 484W; H2PAK7
Параметры товара поставщика
Product code
SCTH90N65G2V-7
Brand
STMicroelectronics
Supplier's product code
SCTH90N65G2V-7
Product ID
U-2738362
Case
H2PAK7
Drain current
116A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
157nC
Gate-source voltage
±3.2V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
SMD
On-state resistance
27mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
484W
Pulsed drain current
220A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
