Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A VISHAY
Номер продукта: SI2328DS-T1-E3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 1.5A; Idm: 6A
Параметры товара поставщика
Product code
SI2328DS-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2328DS-T1-E3
Product ID
U-3127371
Case
SOT23
Drain current
1.5A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.25Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.25W
Pulsed drain current
6A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
