Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A VISHAY
Номер продукта: SI7288DP-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-09-23 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2900 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 20A; Idm: 50A
Параметры товара поставщика
Product code
SI7288DP-T1-GE3
Supplier's product code
SI7288DP-T1-GE3
Product ID
U-3127384
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
20A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
22mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
15.6W
Pulsed drain current
50A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
