Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W VISHAY
Номер продукта: SIB456DK-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6.3A; Idm: 7A; 13W
Параметры товара поставщика
Product code
SIB456DK-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIB456DK-T1-GE3
Product ID
U-3116340
Drain current
6.3A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.31Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
13W
Pulsed drain current
7A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
