Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W VISHAY
Номер продукта: SIHB35N60EF-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHB35N60EF-GE3
Case
D2PAK
Drain current
20A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
134nC
Supplier's product code
SIHB35N60EF-GE3
Product ID
U-3045832
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
97mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
250W
Pulsed drain current
80A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
