Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP VISHAY

Номер продукта: SIHF068N60EF-GE3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 30,00 €

(Заказы до 3 кг)

2,99 €

К 30,00 €

(Заказы до 1000 кг)

3,59 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

1,99 €

Описание товара

Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3045853
Марка
NomNr
SIHF068N60EF-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP

Параметры товара поставщика

Product code
SIHF068N60EF-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHF068N60EF-GE3
Product ID
U-3045853
Case
TO220FP
Drain current
10A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
77nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
68mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
39W
Pulsed drain current
115A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].