Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 225A; Idm: 300A VISHAY
Номер продукта: SIJH112E-T1-GE3
Brand
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Home delivery in Lithuania
Home delivery in Lithuania
After handing over the goods to the courier, we will inform you by e-mail. If you are ordering outside of Lithuania please use www.lemona-electronics.eu to order.
Over €30.00 (Orders up to 1000 kgs) | For free |
To €30.00 (Orders up to 3 kgs) | €2.99 |
To €30.00 (Orders up to 1000 kgs) | €3.59 |
Delivery to a DPD Pickup location
Delivery to a DPD Pickup location
After handing over the goods to the courier, we will inform you by e-mail. Orders over €30.00 are delivered free of charge.
€1.99
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 225A; Idm: 300A
Параметры товара поставщика
Product code
SIJH112E-T1-GE3
Case
PowerPAK® 8x8L
Drain current
225A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
160nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
3.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
333W
Pulsed drain current
300A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIJH112E-T1-GE3
Product ID
U-3116406
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
