Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 268A; Idm: 500A VISHAY
Номер продукта: SIRA80DP-T1-RE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 268A; Idm: 500A VISHAY
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 268A; Idm: 500A
Параметры товара поставщика
Product code
SIRA80DP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIRA80DP-T1-RE3
Product ID
U-3046123
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
268A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
188nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
930µΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
66.6W
Pulsed drain current
500A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
Данный товар отсутствует.