Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 268A; Idm: 500A VISHAY
Номер продукта: SIRA80DP-T1-RE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 268A; Idm: 500A
Параметры товара поставщика
Product code
SIRA80DP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIRA80DP-T1-RE3
Product ID
U-3046123
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
268A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
188nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
930µΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
66.6W
Pulsed drain current
500A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
