Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 36W VISHAY
Номер продукта: SISS10DN-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 150A; 36W
Параметры товара поставщика
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
60A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
75nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
3.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
36W
Pulsed drain current
150A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
SISS10DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISS10DN-T1-GE3
Product ID
U-3046214
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
