Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V VISHAY
Номер продукта: SIZF906DT-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V
Параметры товара поставщика
Product code
SIZF906DT-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIZF906DT-T1-GE3
Product ID
U-3116568
Drain current
60A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
49/200nC
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
5.3/1.58mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
38/83W
Pulsed drain current
80...100A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET x2 + Schottky
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
