Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363 PanJit Semiconductor
Номер продукта: PJT7800-R1
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-08 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 5985 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363 PanJit Semiconductor
Спецификации
Артикул
U-3139406
NomNr
PJT7800-R1
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Параметры товара поставщика
Product code
PJT7800-R1
Supplier's product code
PJT7800-R1
Product ID
U-3139406
Case
SOT363
Drain current
1A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
1.6nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.4Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
4A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
