Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: SH8K26GZ0TB
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 6A; Idm: 12A; 2W; SOP8; ESD
Параметры товара поставщика
Product code
SH8K26GZ0TB
Supplier's product code
SH8K26GZ0TB
Product ID
U-2966391
Case
SOP8
Drain current
6A
Drain-source voltage
40V
Gate charge
2.9nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
50mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
12A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Unit price
No
Version
ESD
Brand
ROYAL OHM
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
