Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23 VISHAY
Номер продукта: SI2315BDS-T1-E3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-29 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 3019 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 1.19W; SOT23
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SI2315BDS-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2315BDS-T1-E3
Product ID
U-323653
Case
SOT23
Drain current
-3A
Drain-source voltage
-12V
Gate charge
15nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.19W
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.
