Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 VISHAY
Номер продукта: SI2333DDS-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2560 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2333DDS-T1-GE3
Product ID
U-1929214
Case
SOT23
Drain current
-5.2A
Drain-source voltage
-12V
Gate charge
35nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.15Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.1W
Pulsed drain current
-20A
Type of transistor
P-MOSFET
Product code
SI2333DDS-T1-GE3
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
