Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.1A; 3W; SO8
Номер продукта: SI4463BDY-E3
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-10-03 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 1217 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.1A; 3W; SO8
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-323714
NomNr
SI4463BDY-E3
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11.1A; 3W; SO8
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SI4463BDY-E3
Supplier's product code
SI4463BDY-E3
Product ID
U-323714
Case
SO8
Drain current
-11.1A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
56nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
20mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3W
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
