Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8 INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: SI4435DYTRPBF
Сроки доставки
2024-08-16 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 219 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Параметры товара поставщика
Product code
SI4435DYTRPBF
Brand
INFINEON
Supplier's product code
SI4435DYTRPBF
Product ID
U-2960833
Case
SO8
Drain current
-6.4A
Drain-source voltage
-30V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
SMD
On-state resistance
20mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.5W
Pulsed drain current
-50A
Technology
HEXFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
