Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -20V; 6.8W VISHAY
Номер продукта: SIA811ADJ-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 50,00 € (Заказы до 3 кг) | 3,49 € |
К 50,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,99 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
2,39 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -20V; 6.8W
Параметры товара поставщика
Product code
SIA811ADJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA811ADJ-T1-GE3
Product ID
U-3116322
Drain current
-4.5A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
13nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.205Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
6.8W
Pulsed drain current
-8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET + Schottky
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
