Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -6.46A; Idm: -20A VISHAY
Номер продукта: SQA411CEJW-T1-GE3
Prekinis ženklas
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -6.46A; Idm: -20A
Параметры товара поставщика
Product code
SQA411CEJW-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SQA411CEJW-T1-GE3
Product ID
U-3116584
Drain current
-6.46A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
15.5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
326.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
13.6W
Pulsed drain current
-20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
