Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A VISHAY

Номер продукта: SUD09P10-195-BE3
no gallery
no gallery
Марка
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 50,00 €

(Заказы до 3 кг)

3,49 €

К 50,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,99 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

2,39 €

Описание товара

Марка
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A VISHAY

Спецификации

Артикул
U-3116605
Марка
NomNr
SUD09P10-195-BE3

Описание товара от поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8.8A; Idm: -15A

Параметры товара поставщика

Product code
SUD09P10-195-BE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SUD09P10-195-BE3
Product ID
U-3116605
Case
DPAK
Drain current
-8.8A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
34.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.21Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
32.1W
Pulsed drain current
-15A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].