Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; T-Max MICROCHIP (MICROSEMI)
Prekės kodas: APT25GN120B2DQ2G
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; T-Max
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
APT25GN120B2DQ2G
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
APT25GN120B2DQ2G
Product ID
U-1869271
Case
T-Max
Collector current
33A
Collector-emitter voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
integrated anti-parallel diode
Gate charge
155nC
Gate-emitter voltage
±30V
Kind of package
tube
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
Power dissipation
272W
Pulsed collector current
75A
Technology
Field Stop
Type of transistor
IGBT
Turn-off time
560ns
Turn-on time
39ns
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
