Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN ONSEMI
Prekės kodas: FDA16N50LDTU
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; Idm: 66A; 205W; TO3PN
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDA16N50LDTU
Supplier's product code
FDA16N50LDTU
Product ID
U-2412858
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Case
TO3PN
Drain current
3.3A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
45nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
205W
Pulsed drain current
66A
Technology
DMOS
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
