Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 ONSEMI
Prekės kodas: FDP2D3N10C
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3 ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 157A; Idm: 888A; 214W; TO220-3
Tiekėjo specifikacijos
Product code
FDP2D3N10C
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDP2D3N10C
Product ID
U-2412921
Case
TO220-3
Drain current
157A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
152nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
2.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
214W
Pulsed drain current
888A
Technology
PowerTrench®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
