Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W INFINEON TECHNOLOGIES
Prekės kodas: IMZA65R027M1HXKSA1
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
IMZA65R027M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMZA65R027M1HXKSA1
Product ID
U-1876359
Case
TO247-4
Drain current
41A
Drain-source voltage
650V
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-5...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
35mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
189W
Pulsed drain current
184A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
