LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W MICROCHIP (MICROSEMI)

Prekės kodas: MSC040SMA120B4
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-2
49.90
3-9
44.90
10+
39.69
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

49.90
2024-07-30 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-07-30 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra30 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

2,99 €

Iki 30,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,59 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.

1,99 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W MICROCHIP (MICROSEMI)

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-1906003
Prekinis ženklas
Prekės kodas
MSC040SMA120B4

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
MSC040SMA120B4
Product ID
U-1906003
Case
TO247-4
Drain current
46A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
137nC
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
50mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
323W
Pulsed drain current
105A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC040SMA120B4
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].