Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W ONSEMI
Prekės kodas: NTH4L080N120SC1
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-07-18 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 10 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W ONSEMI
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
NTH4L080N120SC1
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NTH4L080N120SC1
Product ID
U-1922462
Case
TO247-4
Drain current
21A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
56nC
Gate-source voltage
-15...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
80mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
28W
Pulsed drain current
125A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
