Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W ONSEMI
Prekės kodas: NTHL020N090SC1
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W ONSEMI
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
NTHL020N090SC1
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NTHL020N090SC1
Product ID
U-1922464
Case
TO247-3
Drain current
83A
Drain-source voltage
900V
Gate charge
196nC
Gate-source voltage
-10...19V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
28mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
251W
Pulsed drain current
427A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
