Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A SHINDENGEN
Prekės kodas: P30W60HP2V-5100
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-10-10 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 30 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A SHINDENGEN
Naudinga informacija
Specifikacijos
SKU
U-1937094
Prekės kodas
P30W60HP2V-5100
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
P30W60HP2V-5100
#Promotion
aac_202202
Case
MTO3PV (TO247AD)
Drain current
30A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
70nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
THT
On-state resistance
0.23Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
310W
Pulsed drain current
120A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Supplier's product code
P30W60HP2V-5100
Product ID
U-1937094
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
