Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252 DIODES INCORPORATED
Prekės kodas: DMN3009SK3-13
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-08-05 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2308 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252 DIODES INCORPORATED
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Tiekėjo specifikacijos
Product code
DMN3009SK3-13
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMN3009SK3-13
Product ID
U-2876130
Case
TO252
Drain current
16A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
42nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
9mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.4W
Pulsed drain current
100A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
