Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; Idm: 112A; 266W; TO247 ONSEMI
Prekės kodas: NTH4L067N65S3H
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; Idm: 112A; 266W; TO247 ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; Idm: 112A; 266W; TO247
Tiekėjo specifikacijos
Product code
NTH4L067N65S3H
Supplier's product code
NTH4L067N65S3H
Product ID
U-2430325
Case
TO247
Drain current
25A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
80nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
55mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
266W
Pulsed drain current
112A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
