Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK ROHM SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: R6009JNJGTL
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; Idm: 27A; 125W; D2PAK
Tiekėjo specifikacijos
Case
D2PAK
Drain current
9A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
22nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
585mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
27A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
R6009JNJGTL
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
R6009JNJGTL
Product ID
U-2966107
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
