Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W BRIDGELUX
Prekės kodas: BXW10M1K2H
Марка
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 30,00 € (Заказы до 3 кг) | 2,99 € |
К 30,00 € (Заказы до 1000 кг) | 3,59 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 10A; Idm: 40A; 80.6W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
BXW10M1K2H
Brand
BRIDGELUX
Supplier's product code
BXW10M1K2H
Product ID
U-2590570
Case
TO247-3
Drain current
10A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
29nC
Gate-source voltage
-3...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
BRIDGELUX
Mounting
THT
On-state resistance
610mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
80.6W
Pulsed drain current
40A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
