Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W LUGUANG ELECTRONIC
Prekės kodas: LGE3M25120Q
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W LUGUANG ELECTRONIC
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 200A; 370W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
LGE3M25120Q
Case
TO247-4
Drain current
60A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
54nC
Gate-source voltage
-5...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
LUGUANG ELECTRONIC
Mounting
THT
On-state resistance
43mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
370W
Pulsed drain current
200A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
LUGUANG ELECTRONIC
Supplier's product code
LGE3M25120Q
Product ID
U-3869669
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
