Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W NEXPERIA
Prekės kodas: PHT6NQ10T.135
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 26A; 8.3W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
PHT6NQ10T.135
Supplier's product code
PHT6NQ10T.135
Product ID
U-2734278
Case
SOT223
Drain current
6.5A
Drain-source voltage
100V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
NEXPERIA
Mounting
SMD
On-state resistance
90mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
8.3W
Pulsed drain current
26A
Technology
Trench
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
NEXPERIA
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
