Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70 VISHAY
Prekės kodas: SI1308EDL-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-08-14 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 2646 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI1308EDL-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI1308EDL-T1-GE3
Product ID
U-3126024
Case
SC70
Drain current
1.4A
Drain-source voltage
30V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
4.1nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
132mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.3W
Pulsed drain current
6A
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
