LEMONA

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W VISHAY

Prekės kodas: SI1442DH-T1-GE3
no gallery
no gallery
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Kainų ribos

KiekisKaina su PVM (vnt.)
1-9
0.62
10-24
0.42
25-99
0.29
100-249
0.19
250+
0.18
didmeninis

Min. kiekis: 1

Kartotinis: 1

Iš viso:

0.62
2024-09-19 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Pristatymo terminai

2024-09-19 Numatomas pristatymas užsakius dabar

Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.

Yra2861 vnt.

Tiekėjo sandėlis

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49 €

Iki 50,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39 €

Prekės aprašymas

Prekinis ženklas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W VISHAY

Specifikacijos

SKU
U-3127368
Prekinis ženklas
Prekės kodas
SI1442DH-T1-GE3

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W

Tiekėjo specifikacijos

Product code
SI1442DH-T1-GE3
Supplier's product code
SI1442DH-T1-GE3
Product ID
U-3127368
Case
SC70-6
Drain current
4A
Drain-source voltage
12V
Gate charge
33nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.8W
Pulsed drain current
20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].