Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A VISHAY
Prekės kodas: SIR572DP-T1-RE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A VISHAY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 59.7A; Idm: 180A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SIR572DP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIR572DP-T1-RE3
Product ID
U-3116467
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
59.7A
Drain-source voltage
150V
Gate charge
54nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
11.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
92.5W
Pulsed drain current
180A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].