Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 156.4A; Idm: 300A VISHAY
Prekės kodas: SISS08DN-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 156.4A; Idm: 300A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SISS08DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISS08DN-T1-GE3
Product ID
U-3046212
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
156.4A
Drain-source voltage
25V
Gate charge
82nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.87mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
42W
Pulsed drain current
300A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
