Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.6A; Idm: -10.4A; 3.1W PanJit Semiconductor
Prekės kodas: PJW3P10A-R2
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 Nėra | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 2,99 € |
Iki 30,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,59 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 30.00 € pristatomi nemokamai.
1,99 €
Prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.6A; Idm: -10.4A; 3.1W PanJit Semiconductor
Specifikacijos
SKU
U-3139409
Prekės kodas
PJW3P10A-R2
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.6A; Idm: -10.4A; 3.1W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
PJW3P10A-R2
Supplier's product code
PJW3P10A-R2
Product ID
U-3139409
Case
SOT223
Drain current
-2.6A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
20nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
0.23Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.1W
Pulsed drain current
-10.4A
Type of transistor
P-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
