Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A VISHAY
Prekės kodas: SI2319DS-T1-GE3
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
2024-11-18 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 1932 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 € |
Iki 50,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39 €
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI2319DS-T1-GE3
Supplier's product code
SI2319DS-T1-GE3
Product ID
U-3822828
Case
SOT23
Drain current
-3A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.13Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.25W
Pulsed drain current
-12A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].
